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去年炒得沸沸扬扬的PAT技术实际上就是种内存加速技术，Intel通过在北桥芯片中设置“Bypass Patch”(旁路)让处理器对内存的数据访问请求少一个时钟周期，另外又通过构建“Optimized Patch"(优化路径)让内存控制器对内存芯片的颗粒和BamK选择时间上减少一个周期。这样一来二去，CPU在内存数据读取上减少了两个时钟周期，就达到了提高PC性能的目的。
PAT技术的实现对内存的品质有一定的要求，而许多主板厂商通过触类旁通的自行设计，在I865平台上同样也实现了原本专属I875P的PAT功能——只是更换了称法而已。
不管怎么说，优化内存的延迟参数对PC性能的提高有很大帮助是显而易见的，所以，我们不妨对这方面的知识了解得更深入一些。
一、了解内存延迟参数
Intel平台和AMD平台的内存延迟参数其实都差不多，其中最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，如图1。这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来，但tRAS这个参数却颇有争议，JEDEC的DDR内存相关标准中并没有把它列为必须的性能参数，甚至有观点认为这一参数纯粹是某些主板厂商炒作出来的。
以上参数往往在主板的BIOS中可以调整，一般来说设置值都是越小越好，但对内存颗粒的品质也相对越来越高。由于不明就里，许多用户都不敢贸然进行调整；为释疑解惑，下面我们就对各项参数逐一加以解释。
1.CAS(CL)：
内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”几种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。
2.tRCD(RAS To CAS Delay)：
内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好。
3.tRP(RAS Precharge Time)：
内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time)：
内存行有效至预充电的最短周期，一般我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－11之间。
二、了解内存交错技术
内存交错技术(Bank Interleave)也是用来提高内存性能的一种技术，它使内存各个面的刷新时钟信号与读写时钟信号能够交错出现，实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写，这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。在CPU即将访问的一串内存地址分别位于不同内存面的情况下，内存面交错使CPU能够实现在向后一个内存面发送地址的同时从前一个内存面接收数据，从而产生一种流水线操作的效果，更大限度地发挥内存的理论带宽。因此，有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。
实际Intel和VIA都支持内存交错技术，主要模式有2路交错(2-Bank )和4路交错(4-Bank)两种；不过出于对系统的稳定性考虑，很多支持该技术的主板在默认情况下都关闭了内存交错技术，或最多开启2路内存交错模式——虽然4路交错可以带来更大的性能提升。下表即为国外一位网友在EP-MVP3G2（VIA MVP3平台）主板上使用K6-2 500MHz所作的测试结果对比：
通过升级BIOS，VIA 694X以上芯片组都有机会开启内存交错设置项；即便BIOS不支持，也可以通过WPCREdit等专用软件来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。直接支持内存交错设置的主板以KT400/400A、P4X400居多。以威盛的P4PB 400主板为例，进入BIOS后在“Frequency/Voltage Control”中找到“Bank Interleave”一项，就有“Disable”、“2 Bank”、“4 Bank”等三种模式可选。
三、掌握内存异步调节
在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz的情况下(也有采用3:4、4:5的倍频模式的)。
有了这一招我们不仅可以让“老”内存发挥余热，更重要的是可以充分挖掘内存的潜力及获得更宽泛的超频空间。Intel的810～875系列芯片组和威盛的693以后的产品，都支持内存异步。 |
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