b、对于875和865平台，双通道时页面数达到8或者以上时，tRAS设置长一些内存性能更好；对于非双通道Pentium4与AMD 64 平台，tRAS长短之间的性能差异要缩小

    二、Bank Interleaving“内存交错技术”（可能的选项：Off/Auto/2/4）

    这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。 
　　Intel和VIA都支持内存交错技术，主要模式有2路交错(2-Bank )和4路交错(4-Bank)两种；不过出于对系统的稳定性考虑，很多支持该技术的主板在默认情况下都关闭了内存交错技术，或最多开启2路内存交错模式——虽然4路交错可以带来更大的性能提升。通过升级BIOS，VIA 694X以上芯片组都有机会开启内存交错设置项；即便BIOS不支持，也可以通过WPCREdit等专用软件来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。

　　三、Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）

    一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。

　　四、Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）

    这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

　　五、DRAM Clock“内存时钟频率”（可能的选项：Host Clock/Hclk-33MHz/Hclk+33MHz，说明：Host Clock即总线频率和内存工作频率同步、Hclk-33MHz即总线频率减33MHz、Hclk+33MHz即总线频率+33MHz”等三种模式可选。）

　　在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz的情况下(也有采用3:4、4:5的倍频模式的)。 
　　通过调整该参数，我们不仅可以让“老”内存发挥余热，更重要的是可以充分挖掘内存的潜力及获得更宽泛的超频空间。Intel的810～875系列芯片组和威盛的693以后的产品，都支持内存异步。 

　　注意：在BIOS中对内存进行优化设置可能会对电脑运行的稳定性造成不良影响，所以建议内存优化后一定要使用测试软件进行电脑稳定性和速度的测试。如果您对自己内存的性能没有信心，那么最好采取保守设置，毕竟稳定性是最重要的。如果因内存优化而出现电脑经常死机、重启动或程序发生异常错误等情况，只要清除CMOS参数，再次设置成系统默认的数值就可以了。同时，如果内存运行不稳定或兼容性差，可以根据文章中的相关介绍，反优化之道行之，可起到提高内存稳定性的效果。

　　说明：本文系参阅网上有关内存优化的不少文章整理而成，从实用和全面的角度出发，去掉了不少专业性太强的陈述及评测，旨在帮助菜鸟朋友们了解内存设置，化化内存，提高系统性能，解决内存不稳定和兼容性差而引发的故障。