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菜鸟学堂 专家解读内存硬盘参数含义

http://www.dbit.cn 2009-9-3 11:19:47  来源:东北IT网  编辑:东三省
 

第4页:内存篇:重要参数详解

内存作为传统电脑三大配件之一,虽然外表其貌不扬,而且体积小巧轻薄,但作用却非常重要。内存可以说是CPU处理数据的“大仓库”,所有经过CPU处理的指令和数据都要经过内存传递到电脑其他配件上,因此内存做工的好坏,直接影响到系统的稳定性。

海盗船4GB DDR2-1066内存套装标签

由于内存在标签上并没有具体统一的格式,所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须有的信息为容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息,这些也都是最基本的参数。

● 内存延迟

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间,它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示,例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高,因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的,相互影响的程度非常大,并且也不是数值最大时其性能也最差,那么更加合理的配比参数很重要。

上图我们看到这款海盗船内存频率为1066MHz,延迟为“5-6-6-18”,它们代表的意义从左往右分别是:

CAS Latency,即列地址选通脉冲时间延迟,我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。

RAS-to-CAS Delay(tRCD),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。

Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间,即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。

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