ARM近日公布了下一代无线产品和应用SoC平台技术的更多细节，并采用GlobalFoundries 28nm先进工艺代工。
去年十月份，GF和ARM达成了长期战略合作伙伴关系，主要涉及SoC平台的代工制造。
ARM表示，新平台预计能带来40％的计算性能提升，同时降低降低30％，待机电池续航时间延长100％，其中涉及GF的两种工艺：面向移动和消费产品的28nm SLP超低功耗版本、面向最大化性能应用的28nm HP高性能版本。
新的SoC平台基于ARM Cortex-A9处理器，辅以GF 28nm前栅极高K金属栅极(HKMG)工艺，这也将是GF第一次引入HKMG技术，和Intel 45nm工艺上的类似。按照估计，28nm HKMG相比于45/40nm工艺能在同样的散热指标下将性能提升大约40％。
GF 28nm工艺计划2010年下半年投入量产，地点位于德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂。AMD下一代显卡也有望采用这种新工艺，但尚未得到证实。此外台积电也会从今年年中开始代工28nm工艺芯片。
GlobalFoundries日前展示的28nm工艺晶圆
半年前展示的28nm SRAM Bulk测试晶圆
